2025第九屆集微半導體大會于7月3日至5日在上海張江科學會堂盛大啟幕，東方電束大會以"智鏈未來·芯創無限"為主題，晶源集微進工檢測技術開啟中國半導體產業生態協同發展的亮相量測新篇章。同期舉辦的半導“集微半導體展”全方位呈現了全球半導體前沿產品創新成果與技術趨勢。作為國內一體化良率提升解決方案領軍企業，現面向先東方晶源微電子科技（北京）股份有限公司（以下簡稱“東方晶源”）帶來旗下新一代電子束量檢測設備產品矩陣的東方電束最新信息，展現出面向先進工藝的晶源集微進工檢測技術電子束量測檢測技術的硬核實力。值得關注的亮相量測是，其全新研發的半導高能電子束設備（HV-SEM）已取得重大進展，標志著東方晶源在前道電子束量檢測設備四大核心領域已完成全面布局，現面向先持續夯實在國內該賽道的東方電束領跑地位。

東方晶源旗下新一代電子束缺陷檢測設備（EBI）SEpA-i635產品相較于前代機型SEpA-i525應用場景更廣，晶源集微進工檢測技術檢測能力和處理速度均獲顯著提升，亮相量測綜合性能可對標同類型國外先進機臺。半導在核心的現面向先電子光學系統上，SEpA-i635采用了東方晶源全新開發的超大電流預充電功能（微安級）和大電流成像技術（百納安級），最大束流實現量級躍升，使得SEpA-i635可檢測到先進存儲晶圓上復雜結構的電性缺陷，檢測能力已成功通過產線驗證。同時，通過對掃描控制系統、電子探測器，以及高速DPU系統在圖像數據處理和缺陷識別的全面升級，檢測速度較前代產品提升3倍以上。

電子束缺陷復檢設備（DR-SEM）方面，東方晶源新一代產品SEpA-r655的高分辨電子光學系統采用5通道電子成像技術(4 side detector+1 top detector)，不僅顯著提升缺陷立體成像效果，而且能表征材料襯度，可實現對表面和亞表面晶圓缺陷的高分辨率成像和深層信息檢測。電子光學系統優化后，其高景深成像能力得到提升，可滿足高深寬比結構檢測需求；大視場（毫米級）成像能力則滿足晶圓邊緣斜面成像分析需求。此外，SEpA-r655搭載DUV顯微模組，可提升設備無圖案晶圓檢測能力，并具備自動缺陷元素成份分析能力等。全新硬件平臺支持新興化合物半導體檢測，能夠自適應處理不同厚度的晶圓。同時，通過自動對焦硬件模組迭代及軟件算法流程優化，檢測速度較前代產品提升2倍以上。

正是基于SEpA-r655性能的全面提升，在本屆集微半導體大會的“第三屆集微半導體制造峰會”上，該產品斬獲峰會頒發的“產業鏈突破獎”，產品力得到業界權威認可。

關鍵尺寸量測設備（CD-SEM）新機型SEpA-c505則搭載全新高速傳片平臺，可滿足更高產能需求。設備集成全新自研的電子光學系統（EOS），成像分辨率和量測重復精度實現雙重突破，技術參數比肩12吋CD-SEM國際主流產品。同時，全新的軟件系統設計更符合用戶使用習慣，大大提高用戶友好性，并支持多種新類型量測算法，可滿足先進制程的更高階量測需求。

尤為值得關注的是，東方晶源在本次大會首次對外正式披露其新產品高能電子束設備（HV-SEM）的研發進展。該設備預期具備穿透晶圓深層的“透視”成像能力，可精準量測深孔、溝槽等結構的關鍵尺寸（HV CD）、均一性（CDU）及套刻精度（In-die SEM Overlay），技術覆蓋3D-NAND、DRAM及14nm及以下邏輯制程。其搭載的自研EOS具備40KeV以上著陸能量，達到同類設備國際先進水平。隨著HV-SEM設備研發取得重要進展，東方晶源實現在前道電子束量測檢測四大核心領域的全面布局，技術壁壘與產品矩陣優勢得以集中彰顯。作為國內最早布局者之一，東方晶源也將繼續領跑國內電子束量測檢測產業的發展。

在同期舉辦的“第三屆集微半導體制造峰會暨產業鏈突破獎頒獎典禮”上，東方晶源創新技術研究院院長孫偉強博士還發表了《面向先進工藝的電子束量測檢測技術》主題演講，全面系統闡釋了電子束量測檢測技術的演進趨勢、在先進工藝迭代中的重要價值，及其在半導體制造國產化進程中的戰略意義。

除硬件設備外，東方晶源持續深化技術生態布局，自主研發的計算光刻軟件（PanGen）、嚴格光刻仿真軟件（PanGen Sim）、良率管理軟件（YieldBook）等產品填補多項國內空白。基于上述點工具打造的一體化良率優化平臺（HPO），為芯片從設計到制造各環節提供系統化優化解決方案，有力推動我國集成電路制造產業高質量發展。

從電子束量測檢測到計算光刻軟件，從點工具到系統方案，東方晶源已逐步構建起完整的良率提升技術生態。未來，東方晶源將持續加大研發投入，深耕核心技術攻關，助推中國半導體設備產業向價值鏈高端邁進，并為我國在全球半導體產業競爭格局中的自主可控發展注入強勁動能。

關鍵詞 : 電子束東方市半導體晶圓 新浪科技公眾號

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